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MEMS OSCILLATORS FOR VERSATILE USE MEMS OSCILLATORS AEC-Q100 QUALIFIED MEMS RUGGEDIZED OSCILLATORS MEMS SPREAD SPECTRUM XOS MEMS DIFFERENTIAL OSCILLATORS

MEMS OCXOS & TCXOS

Die MEMS-Präzisionsoszillatoren von SiTime liefern einen hochstabilen Takt selbst unter schwierigen Umgebungsbedingungen wie Luftstrom, schnelle Temperaturwechsel, Schock, Vibrationen, Rauschen auf der Betriebsspannung sowie EMI. Diese Bauelemente können innerhalb einer weiten Bandbreite von Parametern für viele Kombinationen von Frequenz, Stabilität, Spannung und Frequenz-Ziehbereich konfiguriert werden, wodurch lange Vorlaufzeiten und Anpassungskosten entfallen.

Die Hochpräzisions-OCXOs bieten eine hervorragende Frequenzstabilität bei einer sehr geringen Baugrösse von nur 9 x 7 mm.

Diese Bauteile sind ideal für zukünftige Netzwerk- , Rechenzentrums- und 5G-Anwendungen, die genaue, belastbare und zuverlässige Zeitreferenzen erfordern.

Darüber hinaus bietet SiTime eine 32-kHz-TCXO-Produktreihe mit einer Frequenzstabilität von bis zu ±3 ppm in einem 1.2 mm² großen CSP Gehäuse. Der typische Versorgungsstrom liegt bei nur 1 μA. Diese 32-kHz-TCXOs sind werkseitig über mehrere Temperaturpunkte kalibriert, um eine besonders hohe Frequenzstabilität zu gewährleisten.

Beschreibung

Die hochpräzisen MEMS-OCXOs der SiTime Epoch Platform™ bieten eine hervorragende Frequenzstabilität bei kleinster Bauform von nur 9 x 7 mm. Diese Bausteine sind ideal für zukünftige Anwendungen im Bereich von 5G, in Rechenzentren und in Netzwerkanwendungen, die genaue und zuverlässige Zeitreferenzen erfordern.

Diese MEMS-OCXOs sind unempfindlich gegenüber Temperaturschocks, Luftströmungen und Vibrationen. Sie bieten zudem einen geringen Stromverbrauch. Der Siliziumherstellungsprozess von SiTime gewährleistet höchste Qualität bei kürzeren Vorlaufzeiten für eine stabile Lieferkette. Die OCXOs mit der Möglichkeit der digitalen Frequenzanpassung mit Hilfe ihrer I2C und SPI Interfaces besitzen eine Temperaturstabilität von bis zu ±1 ppb, und das sogar im Temperaturbereich von bis zu -40 °C ~ +95 °C.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 10 MHz ~ 220 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±0.001 ppm (±1ppb)
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 2.5 Volt ~ 3.3 Volt
  • 12-Stunden-Holdover unter realen Bedingungen
  • ±10 ppt/°C Frequenzanstieg, 4E-12 HDEV bei 10 Sekunden
  • 420 mW Leistungsaufnahme im eingeschwungenen Zustand
  • Bester Phasen-Jitter (rms) 0.1 (ps)
  • Ziehbereich von ±3.125 bis ±400 ppm
  • 1 Milliarde Stunden MTBF (< 1 FIT)
  • Ausgang LVCMOS oder geclippte Sinuswelle

Gehäuseabmessung

  • 9070 (9.0 x7.0 x 3.6 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT5811
10.0 MHz – 60.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.6
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.003 ppm – ±0.05 ppm
Typ
SiT5811
Fre­quenz­bereich
10.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.6
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.003 ppm – ±0.05 ppm
Daten­blatt
SiT5812
60.0 MHz – 220.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.7
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.003 ppm – ±0.05 ppm
Typ
SiT5812
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.7
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.003 ppm – ±0.05 ppm
Daten­blatt
SiT5801
10.0 MHz – 60.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.8
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.001 ppm
Typ
SiT5801
Fre­quenz­bereich
10.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.8
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.001 ppm
Daten­blatt
SiT5802
60.0 MHz – 220.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.9
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.001 ppm
Typ
SiT5802
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.9
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.001 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

SiTime MEMS-Präzisionsoszillatoren liefern eine stabile Taktung auch unter widrigen Umgebungsbedingungen wie Luftstrom, schnelle Temperaturwechsel, Schock, Vibrationen, schlechte Stromversorgungsbedingungen und EMI - in einem kleinen, robusten Gehäuse. Diese Produkte können in einer Vielzahl von Kombinationen von Frequenz, Stabilität, Spannung und Frequenz-Ziehbereich unter Berücksichtigung einer großen Bandbreite von Parametern konfiguriert werden, wodurch langen Vorlaufzeiten und Anpassungskosten entfallen.

Die Elite Plattform®, Elite X™ und Elite RF™ Super-TCXOs sind Präzisions-Timing-Lösungen mit außergewöhnlich umfangreichen Funktionen. Diese Bauelemente lösen schwierigste Timing-Probleme für Telekommunikations-, RF-, Netzwerk-, Edge-Synchronisations- und Präzisions-GNSS-Anwendungen.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 220 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±0.01 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Bester Phasen-Jitter (rms) 0.1 (ps)
  • Anzugsbereich ±6.25 ppm ~ ±3200 ppm
  • LVCMOS oder geclippte Sinuswelle
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit mit über 1 x 109 Stunden MTBF (< 1 FIT)

Gehäusevarianten

  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.95 mm)
  • 5035 (5.0 x 3.5 x 1.35 mm)
  • 7050 (7.0 x 5.0 x 2.20 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT5156
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5156
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5157
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5157
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5356
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5356
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5357
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5357
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5358
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.05 ppm
Typ
SiT5358
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.05 ppm
Daten­blatt
SiT5359
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.05 ppm
Typ
SiT5359
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.05 ppm
Daten­blatt
SiT5376
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5376
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5377
60.0 MHz – 220.0 MHz
5035
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5377
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5035
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5501
1.0 MHz – 60.0 MHz
7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.01 ppm – ±0.02 ppm
Typ
SiT5501
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.01 ppm – ±0.02 ppm
Daten­blatt
SiT5503
1.0 MHz – 60.0 MHz
7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.005 ppm
Typ
SiT5503
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.005 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

SiTime MEMS KHZ TCXOS wurden speziell für Wearable-, IoT- und mobile Anwendungen entwickelt, bei denen Platz und Stromverbrauch kritisch sind. Die Produktliste umfasst 32.768-kHz-TCXOs mit einer einzigartigen Kombination aus ultrakleinem Footprint, geringem Stromverbrauch und bester Frequenzstabilität.

Die SiTime 32 kHz TCXO-Produktreihe ist die erste, die eine Stabilität von ±3 ppm in einem 1.2 mm² großen Chip-Gehäuse bietet. Diese 32-kHz-TCXOs werden werkseitig über mehrere Temperaturpunkte kalibriert, um eine extrem hohe, "All-Inclusive" Frequenzstabilität zu gewährleisten. Der NanoDrive™ programmierbare Ausgang dient zur weiteren Minimierung des Stromverbrauchs. Bemerkenswert ist der geringe integrierte RMS-Phasenjitter von 2.5 ns, 2.0 ns und 1.8 ns.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenz 32.768 kHz
  • Frequenzstabilität ±3 ppm ~ ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ 85 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.5 Volt ~ 3.63 Volt
  • Weltweit kleinste Oszillator-Fläche: 1.2 mm² (1.5 x 0.8 mm CSP)
  • Oszillatorausgang treibt mehrere Lasten
  • NanoDrive™ Oszillator-Ausgang mit reduziertem Hub
  • Interne VDD-Versorgungsfilterung

Gehäuseabmessungen

  • ultra-kleines CSP-Gehäuse 1.5 x 0.8 mm

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT1552
32.768 kHz
CSP 1.5 x 0.8
1.5 V – 3.63 V
-40 °C – +85 °C
±5 ppm – ±20 ppm
Typ
SiT1552
Fre­quenz­bereich
32.768 kHz
Ab­mes­sungen
CSP 1.5 x 0.8
Be­triebs­spann­ung
1.5 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +85 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±5 ppm – ±20 ppm
Daten­blatt
SiT1566
32.768 kHz
CSP 1.5 x 0.8
1.62 V – 3.63 V
-40 °C – +85 °C
±3 ppm – ±5 ppm
Typ
SiT1566
Fre­quenz­bereich
32.768 kHz
Ab­mes­sungen
CSP 1.5 x 0.8
Be­triebs­spann­ung
1.62 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +85 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±3 ppm – ±5 ppm
Daten­blatt
SiT1568
32.768 kHz
CSP 1.5 x 0.8
1.8 V
-40 °C – +85 °C
best ±5 ppm
Typ
SiT1568
Fre­quenz­bereich
32.768 kHz
Ab­mes­sungen
CSP 1.5 x 0.8
Be­triebs­spann­ung
1.8 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +85 °C
Freq­uenz­stab­ilität
best ±5 ppm
Daten­blatt
SiT1580
32.768 kHz
CSP 1.5 x 0.8
1.62 V – 1.98 V
-40 °C – +85 °C
best ±5 ppm
Typ
SiT1580
Fre­quenz­bereich
32.768 kHz
Ab­mes­sungen
CSP 1.5 x 0.8
Be­triebs­spann­ung
1.62 V – 1.98 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +85 °C
Freq­uenz­stab­ilität
best ±5 ppm
Daten­blatt
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