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MEMS OSCILLATORS FOR VERSATILE USE MEMS OSCILLATORS AEC-Q100 QUALIFIED MEMS OCXOS & TCXOS MEMS SPREAD SPECTRUM XOS MEMS DIFFERENTIAL OSCILLATORS

MEMS RUGGEDIZED OSCILLATORS

Die robusten SiTime Endura™-Oszillatoren wurden für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, im Verteidigungsbereich und in der industriellen Automatisierung entwickelt, die eine extrem hohe Widerstandsfähigkeit gegenüber einer Vielzahl von rauen Umgebungsbedingungen erfordern.

Basierend auf der bewährten Silizium-MEMS-Technologie bieten sie eine Stoßfestigkeit von bis zu 30.000 G. Darüber hinaus bieten sie eine sehr geringe Beschleunigungsempfindlichkeit, beste Schock- und Vibrationsfestigkeit, eine hohe Zuverlässigkeit (>2,2 x 109 Stunden MTBF) und eine überragende Performance auch bei widrigen Umwelteinflüssen wie Luftströmungen, thermischen Gradienten, Druck sowie Rauschen auf der Bertriebsspannung.

Endura-Produkte können werkseitig innerhalb eines breiten Parameterbereichs auf jede beliebige Kombination von Frequenz, Stabilität und Betriebsspannung konfiguriert werden, wodurch langen Vorlaufzeiten und Anpassungskosten entfallen. Alle Endura-Oszillatoren sind zu 100 % durch den SiTime Endura-Prozessfluss gescreent, um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Beschreibung

Dieser Oszillator wurde für raue Umgebungen entwickelt und zeichnet sich durch eine extrem niedrige Beschleunigungsempfindlichkeit von 0.1 ppb/G, eine Stoßfestigkeit von 10.000 G und eine Vibrationsfestigkeit von 70 G aus.

Endura-Produkte können werkseitig auf jede beliebige Kombination von Frequenz (1 bis 137 MHz), Frequenzstabilität (±20 ppm) und Spannung innerhalb eines breiten Parameterbereichs programmiert werden, wodurch die üblichen langen Vorlaufzeiten und Anpassungskosten entfallen.

Alle Endura-Oszillatoren sind 100 % durch den SiTime Endura-Prozessfluss gescreent, um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Eine Konfigurationsoption "FlexEdge™" für höhere kapazitive Lasten oder für weniger steile Flanken zur Reduktion der elektromagnetischen Abstrahlung ist verfügbar.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 137 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±20 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -55 °C ~ +125 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Kompatibel zu allen Standard-Oszillatorgehäusen und Pad-Layouts
  • Geringe Beschleunigungsempfindlichkeit, 0.1 ppb/g
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Äußerst hohe Zuverlässigkeit
  • FlexEdge™ konfigurierbare Anstiegs- / Abfallzeit zur EMI-Reduzierung
  • AEC-Q100 qualifiziert

Drop-in-Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.75 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.75 mm)
  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.75 mm)
  • 7050 (7.5 x 5.0 x 0.90 mm)

Zusätzlicher Gehäusetyp

  • SOT23 (2.9 x 2.8 x 1.27 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT8944
1.0 MHz – 110.0 MHz
2016 – 7050
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT8944
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 110.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 7050
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT8945
115.0 MHz – 137.0 MHz
2016 – 7050
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT8945
Fre­quenz­bereich
115.0 MHz – 137.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 7050
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT2044
1.0 MHz – 110.0 MHz
SOT23
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – + 125°C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT2044
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 110.0 MHz
Ab­mes­sungen
SOT23
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – + 125°C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT2045
115.0 MHz – 137.0 MHz
SOT23
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT2045
Fre­quenz­bereich
115.0 MHz – 137.0 MHz
Ab­mes­sungen
SOT23
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Die Hochleistungs - Differenzialoszillatoren für LVPECL, LVDS, HCSL und Low-Power-HCSL der Endura-Familie sind für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt konzipiert. Diese robusten Oszillatoren sind im Frequenzbereich von 1 MHz bis 920 MHz mit bis zu 70 fs RMS-Jitter (typ.) im erweitertem Temperaturbereich bis 125 °C und in verschiedenen QFN-Gehäusevarianten bis zu 2.0 x 1.6 mm verfügbar.

Die Bauelemente bieten einen geringen Jitter und eine Unterdrückung des Betriebsspannungsrauschens (PSNR) in rauen Umgebungen, die Schock oder Vibrationen unterliegen, oder durch verrauschte Stromversorgung und EMI gefährdet sind.
Sie eignen sich ideal für die FPGA-Taktung und andere militärische Anwendungen bei denen hohe Datenraten anfallen, die einen extrem niedrigen Jitter, einen geringen Stromverbrauch und eine geringe Baugröße erfordern.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 920 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±10 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +125 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.8 Volt ~ 3.3 Volt
  • Kompatibel zu allen Standard-Oszillatorgehäusen und Pad-Layouts
  • 10.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • LVPECL, LVDS, HCSL, HCSL mit geringer Leistung, FlexSwing
  • Bester Phasenjitter 70 fs RMS (typ.)
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit
  • AEC-Q100 qualifiziert

Drop-in-Ersatz für die folgenden Gehäuseabmessungen

  • 2016 (2.0 x 1.6 x 0.75 mm)
  • 2520 (2.5 x 2.0 x 0.85 mm)
  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.85 mm)
  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.85 mm)
  • 7050 (7.5 x 5.0 x 0.80 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT9346
1.0 MHz – 220.0 MHz
3225 –7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±10 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9346
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 –7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±10 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9347
220.0 MHz – 725.0 MHz
3225 – 7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±10 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9347
Fre­quenz­bereich
220.0 MHz – 725.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 – 7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±10 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9356
1.0 MHz – 220.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9356
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9357
220.0 MHz – 900.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9357
Fre­quenz­bereich
220.0 MHz – 900.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT9551
25.0 MHz – 644.0 MHz
2016 – 3225
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-55 °C – +125 °C
±20 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT9551
Fre­quenz­bereich
25.0 MHz – 644.0 MHz
Ab­mes­sungen
2016 – 3225
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +125 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±20 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Durch den Einsatz der einzigartigen DualMEMS™-Temperatursensor- und TurboCompensation™-Technologie von SiTime liefern die Präzisions-Oszillatoren der Super-TCXOs der Endura Familie ein äußerst stabiles Timing bei Umgebungsstressoren wie Luftstrom, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Stößen und elektromagnetischen Störungen (EMI). Ideal für hochzuverlässige Luft- und Raumfahrt- sowie Militärapplikationen.

Dieser MEMS-basierte Endura Super-TCXO kann werkseitig auf jede beliebige Kombination von Frequenz (in einem Frequenzbereich von 1 bis 220 MHz) , Stabilität, Spannung und Anzugsbereich konfiguriert werden. Das Setup ermöglicht es den Entwicklern, die Taktkonfiguration zu optimieren, wodurch lange Vorlaufzeiten und Anpassungskosten entfallen. Die Produkte werden zu 100 % durch den SiTime Endura™-Prozessfluss geprüft, um eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 220 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±0.005 ppm (±5 ppb)
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 2.5 Volt ~ 3.3 Volt
  • Anzugsbereich ±6.25 ppm ~ ±3200 ppm
  • Geringe Leistungsrauschunterdrückung (PSNR), 0.2 ps/mV
  • LVCMOS oder geclippte Sinuswelle
  • 30.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Digitale Frequenzabstimmung über I2C macht externen DAC überflüssig
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit 2 Milliarden Stunden MTBF

Gehäuseabmessungen

  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.95 mm)
  • 7050 (7.0 x 5.0 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT5146
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-55 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5146
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5147
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Typ
SiT5147
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm – ±2.5 ppm
Daten­blatt
SiT5346
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5346
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5347
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Typ
SiT5347
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.25 ppm
Daten­blatt
SiT5348
1.0 MHz – 60.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
0 °C – +70 °C
±0.5 ppm
Typ
SiT5348
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
0 °C – +70 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm
Daten­blatt
SiT5349
60.0 MHz – 220.0 MHz
5032
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
0 °C – +70 °C
±0.5 ppm
Typ
SiT5349
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
5032
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
0 °C – +70 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.5 ppm
Daten­blatt
SiT5541
1.0 MHz – 60.0 MHz
7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±0.01 ppm – ±0.02 ppm
Typ
SiT5541
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.01 ppm – ±0.02 ppm
Daten­blatt
SiT5543
1.0 MHz – 60.0 MHz
7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95° C
±0.005 ppm
Typ
SiT5543
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95° C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.005 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Der robuste 32.768-kHz-Super-TCXO der Endura™ Plattform wurde für die Puls-pro-Sekunde-Zeitmessung (PPS-pulse per second) in Luft- und Raumfahrt Applikationen wie Handfunkgeräten, tragbaren Geräten, Bodenfahrzeugen und Anwendungen in der Luftfahrt konzipiert. entwickelt, die in rauen Umgebungen betrieben werden.
Mit seiner exzellenten Frequenzstabilität von ±0.1 ppm bis ±0.4 ppm ist dieser 32.768-kHz-Referenztaktgeber ideal für GNSS Empfänger. Die hohe Frequenzstabilität ermöglicht einen GNSS Signal-Lock innerhalb von Sekunden, so dass genaue Zeit- und Standortdaten viel schneller zur Verfügung stehen. Zudem besitzt dieser Oszillator einen niedrigen 2 ns RMS Phasenjitter und eine Langzeit - Alterung von nur ±2.5 ppm über 20 Jahre.

Der SiT7910 Super-TCXO ist für den Einsatz in Handfunkgeräten, tragbaren Geräten, Bodenfahrzeugen und in der Anwendungen in der Luftfahrt konzipiert.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Frequenz 32.768 kHz TCXO
  • Beste Temperaturstabilität ±0.1 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -55 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 1.62 Volt ~ 3.63 Volt
  • 20 Jahre Alterung ±2.5 ppm
  • Extrem niedriger Stromverbrauch: 6 µA (typ)
  • Niedrige G-Empfindlichkeit: 20 ppb/G
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit

Gehäuseabmessungen

  • 2520 (2.5 x 2.0 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT7910
32.768 kHz
2520
1.8 V / 1.62 V – 3.63 V
-55 °C – +105 °C
±0.1 ppm – ±0.4 ppm
Typ
SiT7910
Fre­quenz­bereich
32.768 kHz
Ab­mes­sungen
2520
Be­triebs­spann­ung
1.8 V / 1.62 V – 3.63 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-55 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.1 ppm – ±0.4 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

SiTime Endura VCXOs sind eine Familie von differenziellen VCXOs (spannungs-gesteuerte Oszillatoren), die für raue Umgebungen entwickelt wurden. Sie bieten eine außergewöhnliche Leistung bei hoher Zuverlässigkeit und eignen sich daher für Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungsanwendungen.

Diese Familie von VCXOs unterstützt LVPECL-, LVDS- und HCSL-Ausgänge mit einer Frequenzstabilität von ±15 ppm, einem geringen Jitter von 0.21 ps Jitter (typ.) sowie einer Linearität des Ziehbereichs von 0.1 %. Es stehen 27 lineare APR-Optionen (APR = absoluter Pull-Bereich) mit bis zu ±3200 ppm zur Verfügung. Diese VCXOs sind so konzipiert, dass sie diese Spezifikationen auch unter schwierigen Umgebungsbedingungen, wie Schock, Vibration, Stromversorgungsrauschen und EMI beibehalten.

 

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 1 MHz ~ 720 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±15 ppm
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +105 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 2.5 Volt ~ 3.3 Volt
  • Anzugsbereich ±6.25 ppm ~ ±3200 ppm
  • Geringer Jitter 0.21 ps RMS (12KHz bis 20 MHz)
  • LVPECL, LVDS, HCSL
  • 30.000 G Schock- und 70 G Vibrationsfestigkeit
  • Extrem hohe Zuverlässigkeit 1 x 109 h MTBF (< 1 FIT)

Gehäuseabmessungen

  • 3225 (3.2 x 2.5 x 0.85 mm)
  • 5032 (5.0 x 3.2 x 0.85 mm)
  • 7050 (7.0 x 5.0 x 0.85 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT3342
1.0 MHz – 220.0 MHz
3225 – 7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±15 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT3342
Fre­quenz­bereich
1.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 – 7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±15 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
SiT3343
220.0 MHz – 720.0 MHz
3225 – 7050
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +105 °C
±15 ppm – ±50 ppm
Typ
SiT3343
Fre­quenz­bereich
220.0 MHz – 720.0 MHz
Ab­mes­sungen
3225 – 7050
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +105 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±15 ppm – ±50 ppm
Daten­blatt
Beschreibung

Endura Epoch Platform™ MEMS OCXOs (oven-controlled oscillators) erhöhen die Widerstandsfähigkeit von PNT-Systemen (Positioning, Navigation & Timing), indem sie eine zuverlässige Überbrückung bieten, wenn das System das GPS-Signal verliert.

Durch den Einsatz der einzigartigen Temperatursensortechnologie von SiTime und des fortschrittlichen CMOS-Designs wird eine hervorragende Stabilität bei rauen Umgebungseinflüssen wie Luftstrom, Temperaturschwankungen, Vibrationen, Stößen und EMI erreicht.

Der OCXO wird in einem kleinen SMD Gehäuse (9.0 mm x 7.0 mm x 3.6 mm) geliefert und bietet eine Temperaturstabilität von ±1 ppb bei -40 °C bis 95 °C, eine typische Frequenz-Slope von ±0.01 ppb/°C (ΔF/ΔT) und eine Allen-Deviation von 5E - 12. Die Produkte haben einen großen Ziehbereich von ±3.125 bis ±400 ppm und eine hervorragende Stoßfestigkeit von 20.000 G.

Technische Informationen

Eigenschaften

  • Silizium-MEMS-Resonator-basierte Oszillatoren
  • Frequenzbereich 10 MHz ~ 220 MHz
  • Beste Temperaturstabilität ±0.001 ppm (±1 ppb)
  • Weitester Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
  • Versorgungsspannungsbereich 2.5 Volt ~ 3.3 Volt
  • 12-Stunden-Holdover unter realen Bedingungen
  • ±10 ppt/°C Frequenzanstieg, 5x 10 - 12 ADEV über 10 Sekunden
  • Nur 420 mW Leistungsaufnahme im eingeschwungenen Zustand
  • Bester Phasen-Jitter 0.1 ps RMS
  • Frequenzziehbereich von ±3.125 bis ±400 ppm
  • 1 x 109 h MTBF (< 1 FIT)
  • LVCMOS oder geclippte Sinuswelle

Gehäuseabmessungen

  • 9070 (9.0 x7.0 x 3.6 mm)

Verfügbare Dienstleistungen

  • Technische Unterstützung durch unsere Ingenieure
  • Kostenlose Muster auf Anfrage
Typ
Fre­quenz­bereich
Ab­mes­sungen
Be­triebs­spann­ung
Weit­ester Temp­eratur­bereich
Freq­uenz­stab­ilität
Daten­blatt
SiT7101
10.0 MHz – 60.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.6
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.003 ppm – ±0.005 ppm
Typ
SiT7101
Fre­quenz­bereich
10.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.6
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.003 ppm – ±0.005 ppm
Daten­blatt
SiT7102
60.0 MHz – 220.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.7
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.003 ppm – ±0.005 ppm
Typ
SiT7102
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.7
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.003 ppm – ±0.005 ppm
Daten­blatt
SiT7121
10.0 MHz – 60.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.8
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.001 ppm
Typ
SiT7121
Fre­quenz­bereich
10.0 MHz – 60.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.8
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.001 ppm
Daten­blatt
SiT7112
60.0 MHz – 220.0 MHz
9.0 x 7.0 x 3.9
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
-40 °C – +95 °C
±0.001 ppm
Typ
SiT7112
Fre­quenz­bereich
60.0 MHz – 220.0 MHz
Ab­mes­sungen
9.0 x 7.0 x 3.9
Be­triebs­spann­ung
2.5 V / 2.8 V / 3.0 V / 3.3 V
Weit­ester Temp­eratur­bereich
-40 °C – +95 °C
Freq­uenz­stab­ilität
±0.001 ppm
Daten­blatt
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